Kaan Atasoy 
Micron, 2027’nin ikinci yarısında seri üretime girmesi planlanan yeni nesil G11 3D NAND bellek teknolojisini duyurdu. 400’den fazla katmana ulaşacak yeni bellekler, önceki nesil G9’a kıyasla bit yoğunluğunu ikiye katlamayı, veri aktarım hızını yüzde 50 artırmayı ve bit başına enerji tüketimini yüzde 25’ten fazla azaltmayı hedefliyor.
İki kat veri yoğunluğu sunacak
Micron’un paylaştığı hedeflere göre G11, milimetrekare başına yaklaşık 42 Gbit yoğunluğuna ulaşacak. Bu değer, G9 neslindeki yaklaşık 21 Gb/mm² seviyesinin iki katına karşılık geliyor. Daha yüksek yoğunluk, aynı fiziksel alanda daha fazla veri depolanmasına veya aynı kapasitenin daha küçük bellek yongalarıyla elde edilmesine olanak tanıyabilir.
Micron, yeni nesil NAND belleğin giriş/çıkış (I/O) hızını mevcut nesle kıyasla yüzde 50’ye kadar artırmayı hedefliyor. Bu kapsamda arayüz hızının 3.600 MT/s seviyesinden 5.400 MT/s’ye yükselmesi bekleniyor.
Enerji verimliliği de yeni mimarinin öne çıkan özellikleri arasında bulunuyor. Şirket, bit başına veri aktarımında harcanan enerjiyi yüzde 25’ten fazla azaltmayı amaçlıyor. Bu gelişme, özellikle büyük miktarda veriyi sürekli işleyen yapay zeka altyapıları ve veri merkezleri açısından önem taşıyor.
Yeni teknolojinin yalnızca kurumsal depolama sistemlerine değil, tüketici SSD’lerine de katkı sağlaması bekleniyor. Daha yüksek bit yoğunluğu, üretim maliyetlerinin düşürülmesi halinde daha yüksek kapasiteli SSD’lerin daha erişilebilir hâle gelmesine yardımcı olabilir. Bununla birlikte Micron, G11’in tüketici SSD fiyatlarına nasıl yansıyacağı konusunda henüz kesin bir bilgi paylaşmadı.
Wafer-on-wafer bonding teknolojisi kullanılacak
G11’in teknik açıdan en önemli yeniliklerinden biri, wafer-on-wafer bonding adı verilen silikon plakaların birbirine bağlanması yöntemi olacak. Bu yaklaşımda NAND bellek hücrelerinin bulunduğu katmanlarla çevresel devreler ve giriş/çıkış mantığı, farklı silikon plakalar üzerinde ayrı süreçlerle üretilebiliyor. Ardından bu plakalar birbirine bağlanıyor. Böylece bellek dizisinin ve kontrol devrelerinin birbirinden bağımsız biçimde optimize edilmesi mümkün oluyor. Micron, bu yöntemin daha yüksek depolama yoğunluğu ve daha iyi performans elde edilmesine yardımcı olacağını belirtiyor.
Gelecekte, yeni malzemeler ve daha yoğun bellek hücreleri ile kapasite daha da artacak
Micron’un NAND yol haritası G11 ile sınırlı değil. Şirket, sonraki nesillerde katman sayısını artırmanın yanı sıra bellek hücrelerini küçültmeye, yeni malzemeler kullanmaya ve hücre mimarisini daha yoğun hale getirmeye odaklanacak. Bu yaklaşım, 3D NAND teknolojisinin yalnızca dikey yönde büyümesini değil, yatay boyutlarda da ölçeklenmesini sağlayabilir. Böylece üretim karmaşıklığını kontrol altında tutarken birim alana daha fazla veri sığdırmak mümkün olabilir.
